Thông Số Kĩ Thuật:
1. điện áp nguồn: VDSS = 600 V
2. Cổng vào điện áp nguồn: VGSS = ± 20 V
3. Tải Dòng: ID = 16 A
4. Công suất tiêu tán: PD = 136 W
8. Nhiệt độ kênh: Tch = -55 đến +175 ° C
9. Nhiệt độ bảo quản: Tstg = -55 đến +175 ° C
– Đóng gói: TO220 (1-gate,2-drain,3-source)
Điện Tử Thái Nguyên
– Chuyên cung cấp linh kiện điện tử, thiết bị điện tử, mạch in
– Mẫu mã đa dạng, chất lượng sản phẩm tốt
– Giá rẻ cạnh tranh, Ảnh được chụp là ảnh thật của sản phẩm 100%
– Điện tử thái nguyên cam kết về chất lượng sản phẩm và mong muốn
Cảm ơn bạn đã mua sản phẩm của chúng tôi!
Trọng lượng | 30 kg |
---|
Hãy là người đầu tiên nhận xét “IRF 640 – cái” Hủy
Sản phẩm tương tự
-
1.000 ₫
MÔ TẢ: Tính năng sản phẩm: – MO25 Mosfet SI2302 A2SHB SOT23 2.5A/20V kênh N SMD hay mosfet 3 chân dán, mosfet kép, dual kênh,…
-
45.000 ₫
MÔ TẢ: 1. Thiết bị logic lập trình dựa trên EEPROM, hiệu suất cao (PLD) dựa trên kiến trúc MAX® thế hệ thứ hai 2.…
-
40.000 ₫
MÔ TẢ: 1. Drain to source voltage : VDSS = 900 V 2. Gate to source voltage : VGSS = 900 V 3. Drain current…
-
20.000 ₫
MÔ TẢ: FGA25N120 là IGBT điện áp cao và dòng điện cao với công nghệ rãnh NPT. IGBT này có thể chuyển đổi 1200V với…
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.