Thông Số Kĩ Thuật:
1. điện áp nguồn: VDSS = 600 V
2. Cổng vào điện áp nguồn: VGSS = ± 20 V
3. Tải Dòng: ID = 16 A
4. Công suất tiêu tán: PD = 136 W
8. Nhiệt độ kênh: Tch = -55 đến +175 ° C
9. Nhiệt độ bảo quản: Tstg = -55 đến +175 ° C
– Đóng gói: TO220 (1-gate,2-drain,3-source)
Điện Tử Thái Nguyên
– Chuyên cung cấp linh kiện điện tử, thiết bị điện tử, mạch in
– Mẫu mã đa dạng, chất lượng sản phẩm tốt
– Giá rẻ cạnh tranh, Ảnh được chụp là ảnh thật của sản phẩm 100%
– Điện tử thái nguyên cam kết về chất lượng sản phẩm và mong muốn
Cảm ơn bạn đã mua sản phẩm của chúng tôi!
Trọng lượng | 30 kg |
---|
Hãy là người đầu tiên nhận xét “IRF 640 – cái” Hủy
Sản phẩm tương tự
-
10.000 ₫
MÔ TẢ: THÔNG TIN SẢN PHẨM: – Mosfet là transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) được sử dụng rất phổ biến…
-
9.000 ₫
MÔ TẢ: Thông số kỹ thuật: – Điện áp đánh thủng là 500V. – Điện áp VGS = +/-20V – Dòng chịu đựng trung bình…
-
80.000 ₫
MÔ TẢ: 1. điện áp: VDSS = 80 V 2. điện áp vào nguồn: VGSS = ± 25 V 3. dòng tải: ID = 200A…
-
18.000 ₫
MÔ TẢ: Thông số kĩ thuật: -Công suất tản nhiệt tối đa của cực góp (Pc): 80 W -Điện áp cực góp – cực gốc…
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.