Thông Số Kĩ Thuật:
1. điện áp nguồn: VDSS = 600 V
2. Cổng vào điện áp nguồn: VGSS = ± 20 V
3. Tải Dòng: ID = 16 A
4. Công suất tiêu tán: PD = 136 W
8. Nhiệt độ kênh: Tch = -55 đến +175 ° C
9. Nhiệt độ bảo quản: Tstg = -55 đến +175 ° C
– Đóng gói: TO220 (1-gate,2-drain,3-source)
Điện Tử Thái Nguyên
– Chuyên cung cấp linh kiện điện tử, thiết bị điện tử, mạch in
– Mẫu mã đa dạng, chất lượng sản phẩm tốt
– Giá rẻ cạnh tranh, Ảnh được chụp là ảnh thật của sản phẩm 100%
– Điện tử thái nguyên cam kết về chất lượng sản phẩm và mong muốn
Cảm ơn bạn đã mua sản phẩm của chúng tôi!
Trọng lượng | 30 kg |
---|
Hãy là người đầu tiên nhận xét “IRF 640 – cái” Hủy
Sản phẩm tương tự
-
18.000 ₫
Thông số kỹ thuật: – Mosfet : transistor hiệu ứng trường được sử dụng rất phổ biến trong các mạch số và các mạch tương…
-
8.000 ₫
MÔ TẢ: Thông số kỹ thuật: Kiểu chân: TO-220 (1-gate,2-drain,3-source) Điện áp đánh thủng là 55V. Dòng chịu đựng trung bình là 49A. Nhiệt độ…
-
12.000 ₫
Thông số kỹ thuật: VDSS = -55V RDS(on) = 0.02Ω ID = -74A Kiểu chân: TO220 (1-gate,2-drain,3-source) Điện Tử Thái Nguyên – Chuyên cung cấp…
-
25.000 ₫
MÔ TẢ: Mô tả: Mosfet là Transistor hiệu ứng trường ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) là một Transistor đặc biệt có cấu…
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.