20N60 – cái

MÔ TẢ:
Thông số kỹ thuật:
Điện áp đánh thủng là 600V.
Điện áp VGS = +/-20V
Dòng chịu đựng trung bình là 20A.
Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.
Công suất: 370W
Mosfet 20N60 là mosfet kênh N hay mosfet ngược, được đóng gói theo chuẩn TO-247
Mosfet 20N60 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet 20N60 có công suất là 370W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa đóng mở.
Điện Tử Thái Nguyên
– Chuyên cung cấp linh kiện điện tử, thiết bị điện tử, mạch in
– Mẫu mã đa dạng, chất lượng sản phẩm tốt
– Giá rẻ cạnh tranh, Ảnh được chụp là ảnh thật của sản phẩm 100%
– Điện tử thái nguyên cam kết về chất lượng sản phẩm và mong muốn
Cảm ơn bạn đã mua sản phẩm của chúng tôi!