MÔ TẢ:
Thông số kỹ thuật:
Điện áp đánh thủng là 600V.
Điện áp VGS = +/-20V
Dòng chịu đựng trung bình là 60A.
Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.
Công suất: 370W
Mosfet 60N60 là mosfet kênh N hay mosfet ngược, được đóng gói theo chuẩn TO-247
Mosfet 60N60 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet 60N60 có công suất là 370W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa đóng mở.
Điện Tử Thái Nguyên
– Chuyên cung cấp linh kiện điện tử, thiết bị điện tử, mạch in
– Mẫu mã đa dạng, chất lượng sản phẩm tốt
– Giá rẻ cạnh tranh, Ảnh được chụp là ảnh thật của sản phẩm 100%
– Điện tử thái nguyên cam kết về chất lượng sản phẩm và mong muốn
Cảm ơn bạn đã mua sản phẩm của chúng tôi!
- Xem giỏ hàng Bạn không thể thêm số lượng đó vào trong giỏ hàng vì chúng tôi chỉ còn 1 trong kho và bạn đang thêm 1 vào giỏ hàng.
Xem giỏ hàng “H25R1202 – cái” đã được thêm vào giỏ hàng.
Trọng lượng | 30 kg |
---|
Hãy là người đầu tiên nhận xét “60N60 – cái” Hủy
Sản phẩm tương tự
-
18.000 ₫
MÔ TẢ: Thông số kĩ thuật: -Model: D468 -Kiểu chân: 3 chân cắm đứng TO-92L -Kiểu chân: TO-92L -Vcb: 25V -Vce: 20V -Veb: 5V -Ic:…
-
4.000 ₫
MÔ TẢ: Thông số kĩ thuật: -Tên linh kiện: D882 -Thuộc tính: Transistor NPN -Công suất: 3A 40V Điện Tử Thái Nguyên: – Chuyên cung…
-
7.000 ₫
MÔ TẢ: IRF7404 MOSFET. Biểu dữ liệu pdf. Tương đương – Loại thiết kế: IRF7404 – Loại bóng bán dẫn: MOSFET – Loại kênh điều…
-
20.000 ₫
MÔ TẢ: FGA25N120 là IGBT điện áp cao và dòng điện cao với công nghệ rãnh NPT. IGBT này có thể chuyển đổi 1200V với…
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.