MÔ TẢ:
Thông số kỹ thuật:
Điện áp đánh thủng là 600V.
Điện áp VGS = +/-20V
Dòng chịu đựng trung bình là 60A.
Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.
Công suất: 370W
Mosfet 60N60 là mosfet kênh N hay mosfet ngược, được đóng gói theo chuẩn TO-247
Mosfet 60N60 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet 60N60 có công suất là 370W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa đóng mở.
Điện Tử Thái Nguyên
– Chuyên cung cấp linh kiện điện tử, thiết bị điện tử, mạch in
– Mẫu mã đa dạng, chất lượng sản phẩm tốt
– Giá rẻ cạnh tranh, Ảnh được chụp là ảnh thật của sản phẩm 100%
– Điện tử thái nguyên cam kết về chất lượng sản phẩm và mong muốn
Cảm ơn bạn đã mua sản phẩm của chúng tôi!
Xem giỏ hàng “IRF 640 – cái” đã được thêm vào giỏ hàng.
Trọng lượng | 30 kg |
---|
Hãy là người đầu tiên nhận xét “60N60 – cái” Hủy
Sản phẩm tương tự
-
7.000 ₫
MÔ TẢ: IRF7404 MOSFET. Biểu dữ liệu pdf. Tương đương – Loại thiết kế: IRF7404 – Loại bóng bán dẫn: MOSFET – Loại kênh điều…
-
1.000 ₫
MÔ TẢ: Tính năng sản phẩm: – MO25 Mosfet SI2302 A2SHB SOT23 2.5A/20V kênh N SMD hay mosfet 3 chân dán, mosfet kép, dual kênh,…
-
15.000 ₫
Thông số kỹ thuật: VDSS = 60V RDS(on) = 12mΩ ID = 84A Kiểu chân: TO – 220 (1-gate,2-drain,3-source) Điện Tử Thái Nguyên – Chuyên…
-
10.000 ₫
Thông Số Kĩ Thuật: Thông số kỹ thuật: Điện áp đánh thủng: 100V. Điện áp VGS = +/-20V Dòng chịu đựng trung bình: 23A. Nhiệt…
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.