MÔ TẢ:
Thông số kỹ thuật:
Điện áp đánh thủng: 600V.
Điện áp VGS = +/-30V
Dòng chịu đựng trung bình: 4A.
Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.
Công suất: 106W
Mosfet 4N60 là mosfet kênh N hay mosfet ngược.
Mosfet 4N60 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet 4N60 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.
Điện Tử Thái Nguyên
– Chuyên cung cấp linh kiện điện tử, thiết bị điện tử, mạch in
– Mẫu mã đa dạng, chất lượng sản phẩm tốt
– Giá rẻ cạnh tranh, Ảnh được chụp là ảnh thật của sản phẩm 100%
– Điện tử thái nguyên cam kết về chất lượng sản phẩm và mong muốn
Cảm ơn bạn đã mua sản phẩm của chúng tôi!
Xem giỏ hàng “Transistor 2N2222 smd – cái” đã được thêm vào giỏ hàng.
Trọng lượng | 30 kg |
---|
Hãy là người đầu tiên nhận xét “4N60 – 10cái” Hủy
Sản phẩm tương tự
-
2.000 ₫
Mô tả: Sơ đồ Chân: E,C,B Dòng Điện: 600mA Điện áp: 60V Điện Tử Thái Nguyên – Chuyên cung cấp linh kiện điện tử, thiết…
-
1.500 ₫
Thiết bị này được sử dụng như một bộ khuếch đại công suất trung bình và công tắc yêu cầu dòng thu lên đến 500mA.…
-
3.000 ₫
MÔ TẢ: Dòng PC817X có IRED được ghép nối quang học với một điện trở quang . Nó được đóng gói trong một DIP 4pin,…
-
1.000 ₫
Thứ tự chân: E,B,C Điện áp: 40V Dòng Điện: 0.5A Điện Tử Thái Nguyên – Chuyên cung cấp linh kiện điện tử, thiết bị điện…
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.