MÔ TẢ:
Thông số kỹ thuật:
– Điện áp đánh thủng là 500V.
– Điện áp VGS = +/-20V
– Dòng chịu đựng trung bình là 8A.
– Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.
– Công suất: 125W
– Đóng gói: TO220 (1-gate,2-drain,3-source)
Mosfet IRF840 là mosfet kênh N hay mosfet ngược
Mosfet IRF840 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet IRF840 có công suất là 125W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa.-
Điện Tử Thái Nguyên
– Chuyên cung cấp linh kiện điện tử, thiết bị điện tử, mạch in
– Mẫu mã đa dạng, chất lượng sản phẩm tốt
– Giá rẻ cạnh tranh, Ảnh được chụp là ảnh thật của sản phẩm 100%
– Điện tử thái nguyên cam kết về chất lượng sản phẩm và mong muốn
Cảm ơn bạn đã mua sản phẩm của chúng tôi!
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.