10N60 – cái

MÔ TẢ:
Thông số kỹ thuật:
Điện áp đánh thủng: 600V.
Điện áp VGS = +/-30V
Dòng chịu đựng trung bình: 9.5A.
Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.
Công suất: 156W
Mosfet 10N60 là mosfet kênh N hay mosfet ngược, được đóng gói theo chuẩn TO-220.
Mosfet 10N60, 10N60C là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet 10N60 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.
Điện Tử Thái Nguyên
– Chuyên cung cấp linh kiện điện tử, thiết bị điện tử, mạch in
– Mẫu mã đa dạng, chất lượng sản phẩm tốt
– Giá rẻ cạnh tranh, Ảnh được chụp là ảnh thật của sản phẩm 100%
– Điện tử thái nguyên cam kết về chất lượng sản phẩm
Cảm ơn bạn đã mua sản phẩm của chúng tôi!