MÔ TẢ:
1. Drain to source voltage : VDSS = 900 V
2. Gate to source voltage : VGSS = 900 V
3. Drain current : ID = 9 A
4. Drain power dissipation : PD = 150 W
5. Single pulse avalanche energy : Eas = 778 mJ
6. Avalanche curren : Iar = 9 A
7. Repetitive avalanche energy : Ear = 15 mJ
8. Channel temperature : Tch = 150 °C
9. Storage temperature : Tstg = -55 to +150 °C
Điện Tử Thái Nguyên
– Chuyên cung cấp linh kiện điện tử, thiết bị điện tử, mạch in
– Mẫu mã đa dạng, chất lượng sản phẩm tốt
– Giá rẻ cạnh tranh, Ảnh được chụp là ảnh thật của sản phẩm 100%
– Điện tử thái nguyên cam kết về chất lượng sản phẩm và mong muốn
Cảm ơn bạn đã mua sản phẩm của chúng tôi!
Xem giỏ hàng “HY4008 – cái” đã được thêm vào giỏ hàng.
Trọng lượng | 30 kg |
---|
Hãy là người đầu tiên nhận xét “K3878 – cái” Hủy
Sản phẩm tương tự
-
4.000 ₫
MÔ TẢ: Thông số kĩ thuật: -Tên linh kiện: D882 -Thuộc tính: Transistor NPN -Công suất: 3A 40V Điện Tử Thái Nguyên: – Chuyên cung…
-
15.000 ₫
Thông số kỹ thuật: VDSS = 60V RDS(on) = 12mΩ ID = 84A Kiểu chân: TO – 220 (1-gate,2-drain,3-source) Điện Tử Thái Nguyên – Chuyên…
-
20.000 ₫
MÔ TẢ: FGA25N120 là IGBT điện áp cao và dòng điện cao với công nghệ rãnh NPT. IGBT này có thể chuyển đổi 1200V với…
-
9.000 ₫
MÔ TẢ: – Loại bóng bán dẫn: MOSFET. – Loại kênh điều khiển: N. – Điện áp: + VDSS: 55V. + VGSS: +-20V. – Dòng…
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.