MÔ TẢ:
1. Drain to source voltage : VDSS = 900 V
2. Gate to source voltage : VGSS = 900 V
3. Drain current : ID = 9 A
4. Drain power dissipation : PD = 150 W
5. Single pulse avalanche energy : Eas = 778 mJ
6. Avalanche curren : Iar = 9 A
7. Repetitive avalanche energy : Ear = 15 mJ
8. Channel temperature : Tch = 150 °C
9. Storage temperature : Tstg = -55 to +150 °C
Điện Tử Thái Nguyên
– Chuyên cung cấp linh kiện điện tử, thiết bị điện tử, mạch in
– Mẫu mã đa dạng, chất lượng sản phẩm tốt
– Giá rẻ cạnh tranh, Ảnh được chụp là ảnh thật của sản phẩm 100%
– Điện tử thái nguyên cam kết về chất lượng sản phẩm và mong muốn
Cảm ơn bạn đã mua sản phẩm của chúng tôi!
Xem giỏ hàng “D882 – cái” đã được thêm vào giỏ hàng.
Trọng lượng | 30 kg |
---|
Hãy là người đầu tiên nhận xét “K3878 – cái” Hủy
Sản phẩm tương tự
-
10.000 ₫
Thông Số Kĩ Thuật: Thông số kỹ thuật: Điện áp đánh thủng: 100V. Điện áp VGS = +/-20V Dòng chịu đựng trung bình: 23A. Nhiệt…
-
7.000 ₫
MÔ TẢ: IRF7404 MOSFET. Biểu dữ liệu pdf. Tương đương – Loại thiết kế: IRF7404 – Loại bóng bán dẫn: MOSFET – Loại kênh điều…
-
8.000 ₫
Thông Số Kĩ Thuật: 1. điện áp nguồn: VDSS = 600 V 2. Cổng vào điện áp nguồn: VGSS = ± 20 V 3. Tải…
-
10.000 ₫
MÔ TẢ: THÔNG TIN SẢN PHẨM: – Mosfet là transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) được sử dụng rất phổ biến…
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.