MÔ TẢ:
1. Drain to source voltage : VDSS = 900 V
2. Gate to source voltage : VGSS = 900 V
3. Drain current : ID = 9 A
4. Drain power dissipation : PD = 150 W
5. Single pulse avalanche energy : Eas = 778 mJ
6. Avalanche curren : Iar = 9 A
7. Repetitive avalanche energy : Ear = 15 mJ
8. Channel temperature : Tch = 150 °C
9. Storage temperature : Tstg = -55 to +150 °C
Điện Tử Thái Nguyên
– Chuyên cung cấp linh kiện điện tử, thiết bị điện tử, mạch in
– Mẫu mã đa dạng, chất lượng sản phẩm tốt
– Giá rẻ cạnh tranh, Ảnh được chụp là ảnh thật của sản phẩm 100%
– Điện tử thái nguyên cam kết về chất lượng sản phẩm và mong muốn
Cảm ơn bạn đã mua sản phẩm của chúng tôi!
Xem giỏ hàng “D468 – cái” đã được thêm vào giỏ hàng.
Trọng lượng | 30 kg |
---|
Hãy là người đầu tiên nhận xét “K3878 – cái” Hủy
Sản phẩm tương tự
-
35.000 ₫
Thông số kỹ thuật: – ultra fast IGBT – Icmax = 40A tại t = 25oC – Td_on = 60nS – Tr = 15nS –…
-
9.000 ₫
Thông Số Kĩ Thuật: • Dòng điện cực đại mosfet: ID = 10A • Công suất cực đại: PD = 125W • Điện áp cực…
-
1.000 ₫
MÔ TẢ: Tính năng sản phẩm: – MO25 Mosfet SI2302 A2SHB SOT23 2.5A/20V kênh N SMD hay mosfet 3 chân dán, mosfet kép, dual kênh,…
-
10.000 ₫
Thông Số Kĩ Thuật: Thông số kỹ thuật: Điện áp đánh thủng: 100V. Điện áp VGS = +/-20V Dòng chịu đựng trung bình: 23A. Nhiệt…
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.